之所以孙祖杰这么牛逼轰轰，敢做这样的赌博，就是因为孙祖杰在八十年代投资启动研究的几款激光器，尤其是ArF193nm激光器终于在1997年开发成功，这是一个具有战略意义的重大突破。
而最先进的极紫外光EUV技术，华国经过长期不懈的攻关，目前也已经取得了不少的成果。
之所以在光源上取得突破，原因就是华国的激光技术一直处于世界一流水准。有了不少投资，又有了明确的方向，取得发展是必然的。
华吉光电所搞出的激光器虽然功率低了一些，但是勉强可以使用，这也迫使倭美两国不得不陆续放弃了对华国在这一领域的技术封锁。
孙祖杰对他们取得的成功非常高兴，华投紧接着又拨给他们一千万华元资金，要求ArF193nm激光器必须达到西方同等水平。
但是光源只是光刻机一小部分，作为最尖端的机电一体化产品，华国自产的光刻机最大的问题就是套刻精度不够和生产效率不行。
套刻精度与光刻分辨力密切相关。如果要达到0.10μm的光刻分辨力，根据33%法则要求套刻精度不低于0.03μm。
套刻精度主要与工件台和掩模台定位精度、光学对准精度、同步扫描精度等因素有关，定位精度、对准精度和同步扫描精度分别约为套刻精度的15～13，即0.006～0.01μm。
而提高生产效率是光刻机实现产业化的必要条件。为了提高生产效率，必须优化设计激光器输出功率、重复频率、曝光能量控制、同步扫描等各个技术环节，并采用先进技术尽量减少换片、步进和光学对准等环节所需时间。
要想能够完善所有环节，必须用漫长的时间去摸索，调试，这就需要大量的投资。虽然欧派微芯出钱，各大学和几大光学所出技术，花了无数的钱，但是因为华国整体工业实力的不足，华国国产光刻机为了提高套刻精度，还是不得不降低生产效率。
华国九十年代研发的1微米前道光刻机相比于进口产品，效率一直差得比较多，就是这个原因，所以为了提高生产效率，孙祖杰很早就想到了阿斯麦的双工作台。
双工作台系统，使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片，同时在另外一个工作台进行预对准工作，并在第一时间得到结果反馈，这样生产效率可以提高大约35%，精度提高10%以上。
但是双工件台系统虽然仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑，对工作台转移速度和精度有非常高的要求。
华国工程师从磁悬浮技术得到启示，利用华国在永磁体领域的领先，正在全力开发磁悬浮工作台，目前实验研究已经有了不小的突破，实验发现精度确实有了不小的提高。
现在有了193nmArF光源，有了浸没式光学镜头，又有了双工作台的突破，专家们经过研究认为根本没有必要再跟着西方的技术路线亦步亦趋，欧派微芯完全可以直接攻关0.1微米左右线程的浸没式光刻机。
因为使用193nmArF光源的浸没式光刻机，波长直接缩短为134nm，这样新型光刻机可以直接从0.1nm左右线程起步，再通过光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点甚至可达28nm。
要知道在1997年，此时主流的光刻机线程也不过0.25微米，采用的还是KrF248nm光源。而倭国正在研发的193nm干式光刻机线程也仅仅是0.18微米，下一步才是0.13微米，90nm。
也就是说采用另外一条技术路线的华国人有3到5年的宝贵追赶时间，有这个时间应该有机会取得突破。
只要这款光刻机被攻克，华国就很可能实现弯道超车，为此赌一把绝对是值得的，毕竟华投有了相应的技术积累。
除此之外，还有一个好处，那就是采用193nm干式光刻机到了65nm左右时，差不多快到极限了，而采用华国路线，线程可以直接到达30nm左右，都问题不大。
所以到达这段线程区间时，欧美要么更换光源全部推倒重来，要么与华国交换技术。前者需要大量投资，而后者有现成的技术，到时候除非资本家脑子短路了，否则他们一定会与华国交换专利。因此华国的技术路线，明显才是未来，那么现在投入再多，也是值得的。
就在1998年初，更换了身份之后的孙祖杰，以华投决策小组组长的身份，出席了新型光刻机的研发动员大会，林先生也参加了这次动员大会。
这几年林先生的研究团队精力都放在天翼那条0.5微米芯片生产线的调试和改进上，并没有权限知道华投在光刻机领域的那些秘密。
经过几年的合作之后，林先生的研究团队已经被认可，所以今天他才有资格出席今天的动员大会，参与到这款代表未来的光刻机研究。
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