对于常规结构制备的碳管晶体管，其栅长在5纳米以下时就会较为明显地受到短沟道效应和隧穿漏电流影响，以往融合高介电栅介质薄膜的做法很难有效地解决漏电问题，使得器件也不能有效地关断。
徐兴国团队改用石墨烯替代金属作为碳管晶体管的源漏接触，从而有效地抑制了短沟道效应和源漏直接隧穿。
而且，由于5纳米栅长的碳管器件开关转换仅有1个左右的电子参与，使得门延时（42飞秒）接近二进制电子开关器件的物理极限（40飞秒，由海森堡测不准原理和香农—冯诺依曼—郎道尔定律决定）。
这是中国首次掌握了世界上最先进的晶体管技术，而且整体技术成熟极高，随着碳纳米管成本下降及工艺良品率的提高，该技术有望成为最先进的芯片制造技术。
而这种新技术的掌握，相当于现有最先进的硅基技术六代以上的优势（领先20年），使得国际芯片巨头的优势将不复存在，国内半导体制造产业将会在不远的未来实现弯道超车。
事实上庞学林在徐兴国的实验室里，就见到了来自华为以及中芯国际的工程师。
按照徐兴国的说法，第一代碳基芯片将会在未来一年内实现量产，首先应用于华为的5G基站产品。
至于消费端的碳基芯片，估计还要再过两年时间，才能在手机、PC等领域大规模应用。
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