新芯片的设计，是非常完美先进的。
而且，新芯片采用的是新材质，而不是硅，性能表现也不一样。
正因如此，新芯片才可以在制程工艺远远落后的情况下，却是全方位超越了锐龙RX和酷睿ik。
碳基集成电路技术，不是现在才出现。
未来芯片实验室并不是第一家发现这种技术，而是之前就有实验室发现了这个技术，只是还没有做到成熟而已。
早在一年前，就有实验室通过碳纳米管来制造芯片的核心元器件，也就是晶体管，并且发现由过碳纳米管制作的晶体管，是同尺寸硅材料制作的晶体管的5倍，并且能耗还不到其五分之一。
这是一个重大的发现，也是臻国芯片有可能实现换道超车的突破口。
不过，目前为止，这个技术还只能在实验室实现，而无法做到商业化，更无法实现量产，需要攻克的技术难关还非常多，也只是多了一个突破口，一个可能有用的发展方向。
但未来芯片实验室，就把这个实现做成了成品，并且效果还更好。
未来芯片实验室的新芯片，就是采用碳纳米管制造的碳基芯片，而运算速度做到了同尺寸硅材料制作的晶体管的10倍，其能耗更是不到五分之一。
而且，芯片样品的制造，以及相关测试数据，也证明了量产和商业化的可能性。
在不久前，英特尔公布过10nm制程以及首次展示了10nm的晶圆，而他们的10nm制程可以做到每平方毫米1亿晶体管，而同为10nm制程的台积电为每平方毫米4800万晶体管，三星则是每平方毫米5160万。
这些数据，就是说英特尔在10nm制程晶体管密度做到了极致，但这10nm制程也是相当难产，至今还没有正式推出相关产品。
未来芯片实验室的新芯片在22nm制程，晶体管密度仅做到了每平方毫米2000万晶体管。
单单是22nm制程晶体管密度，未来芯片实验室的芯片已经做到了极致，就连英特尔的22nm工艺也只是做到了每平方毫米1530万晶体管，这几乎是被认为22nm工艺的极限。
而未来芯片实验室的新芯片，同样是22nm制程，却是可以达到每平方毫米2000万晶体管，比英特尔的1530万晶体管，还多了470万晶体管。
当然，比起英特尔的10nm制程，未来芯片实验室的22制程就落后许多，晶体管密度仅仅只是英特尔10nm的五分之一。
只不过，得益于设计和材质的不同，同样数量的晶体管，碳基芯片的性能却是可以做到十倍以上，也就是新芯片的2000万晶体管，其性能已经超越了英特尔的1亿晶体管，甚至性能增强了一倍。
最重要的是，在性能增强一倍的情况下，碳基芯片的能耗只是后者的五分之一，而且散热更佳。
性能、能耗、散热都处于优势，这才会让封新立说出全方位超越了锐龙RX和酷睿ik这种话。
如果仅仅只是性能超越的话，那封新立也不可能会说出全方位超越，也只有在任何方面，都优越于对标产品，才算是全方位超越。
这种碳基芯片，对于半导体来说，可是一次技术上的重大跨越。
现在仅仅只是采用22nm制程，碳基芯片就已经全方位超越了对标产品，如果采用更先进的制程，比如英特尔的14nm制程，甚至是10nm制程的话，其性能又会增强到什么程度，五倍，还是十倍，甚至是更高，这都是有可能的。
正因如此，在测试结果出来后，封新立才会如此激动。
尽管，这项技术并不是封新立团队开发出来，但他们可以参与其中，并且是亲眼见到成果，这就足以让他们激动不已。
苏昱也很高兴，他之前就自信于这项技术，是属于跨时代的产品。
如今，成品也证明了这一点，并没有让他失望，甚至让他感到很震撼。
在兑换芯片设计图纸的时候，苏昱就已经知道这是属于十年后的产品，领先现在技术至少十年以上的时间，是属于真正跨时代的产品。
当然，以现在制造的芯片制程，还远不到领先十年那么夸张的程度。
按照芯片的发展速度，就算是硅芯片也只需要一两年，就可以追上这项技术，或者在英特尔和AMD的实验室，就已经掌握了这种性能的技术，只是还没有解决成本问题而已，但也只是需要一两年的时间，便可以量产出售。
所以，这枚芯片处理器，在性能方面仅仅只是领先于一两年。
而苏昱花费12亿点爆点值兑换出来的芯片图纸，自然是没有那么简单的，最少领先十年，这绝对不是一句空话。
事实上，这份芯片图纸，的确是可以做到这种程度。
而苏昱之前兑换的制造设备，也不仅仅只是可以用于22nm制程的生产，而是可以满足更高难度的制程。
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