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第345章 ?首要目标

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“当前,业界EUV主要采取的办法,是将二氧化碳激光照射在锡等靶材上,激发出13.5nm的光子,作为光刻机光源。”

辛启天说着,脸上一副不以为然的样子。

身为开挂大佬,时间长了,自然要有这样的骄傲情绪。

尽管他自己在这些领域中,并没有任何新技术新知识点的研发,仅仅是已经学习熟知当前体系。

但是,依靠强大的开挂后的能力,让辛启天非常敏锐的察觉,其实现有的光刻机技术,非常简陋。

光刻是集成电路最重要的加工工艺,就好比传统制造业车间中车床的作用。

在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。

光刻也是制造芯片的最关键技术,占据芯片制造成本的35%以上。

在如今的科技与社会发展中,光刻技术的增长,直接关系到大型计算机的运作等高科技领域。

而现如今的光刻机,其实仍然处于最原始的量变积累。

运行时,依靠庞大的电力吞吐,吸取足够庞大的能量,来让机器运作!

大力出奇迹嘛,就像是前几个世纪中,军工产品里,人们全都盯着重大火炮去研究!

谈到了详细的技术信息,在场众人,有不少并不清楚。

于是乎,都没有再发言,纷纷一脸小学生认真脸。

“光刻机,有点类似于照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上,而光刻是刻电路图和其他电子元件。”

“把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光,通过具有图形的光罩,对涂有光刻胶的薄片曝光。”

“光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,薄片就有了电子线路图的作用。”

“光刻实时上,也不过六七十年发展历史。”

“47年,贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。59年,仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。”

“60年代,仙童提出CMOSIC制造工艺,并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线。GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。”

“70年代,GCA开发出第一台分布重复投影曝光机,集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。”

“80年代,SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机,集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。”

“90年代中后期,光学光刻分辨率到达70nm的极限。”

“新世纪以来,业内在已经不得不动手研究,包括极紫外线光刻技术,电子束光刻技术,X射线光刻技术,纳米压印技术等。”

“现有的光刻机构造,一般分为,照明系统、Stage系统、镜头组、搬送系统、Alignment系统。”

“新的各种光刻技术研究中。普遍的把软X射线投影光刻称作极紫外投影光刻。”

“当前,对极紫外投影光刻EUV技术的研究最为深入,也取得了突破性的进展,使极紫外投影光刻技术最有希望被普遍使用到以后的集成电路生产当中。”

“是距实用化最近的一种深亚微米的光刻技术。”

“业内,普遍有一种认知,如果不早点推出极紫外光刻技术,来对当前的芯片制造方法做出全面的改进,将使整个芯片工业处在岌岌可危的地步。”

“所以,其实新时代的节点,变革点,已经能够清晰的预见。”

“极端紫外光刻技术所使用的光刻机的对准套刻精度要达到10nm,其研发和制造原理实际上和传统的光学光刻在原理上十分相似。”

“对光刻机的研究重点,是要求定位要极其快速精密,以及逐场调平调焦技术。因为光刻机在工作时拼接图形,和步进式扫描曝光的次数很多。不仅如此,入射对准光波信号的采集,以及处理问题还需要解决。”

“EUV技术的进展还是比较缓慢的,投资巨大。当前,其实没有几家厂商,能够将这项技术应用于生产中。唯一的ASML公司,做出来的东西,也仅仅算是勉强能用。”

“各家厂商都清楚,半导体工艺向往下刻,使用EUV技术是必须的。波长越短,频率越高,光的能量正比于频率,反比于波长。”

“但是因为频率过高,传统的光溶胶直接就被打穿了。现在,半导体工艺的发展已经被许多物理学科从各个方面制约了。”

“现在的问题的是,第一,EUV光刻机造价太高,好几千万优元。”

“第二,没有真正合适的光源。”

“第三,没有合适的掩模。第四,未研发出合适的光刻胶!”

“所以,我是打算,咱们可以在光源上,琢磨琢磨。”

说道这里,辛启天颇有些意犹未尽舔了下嘴角,眼神放光的说道:“其实如果不考虑整体行业发展,我个人,更想去研究电子束光刻。”

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